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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2022-12-12 15:39:06

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美,宣布推出新系列MOSFET器件,采用創(chuàng)新的頂部冷卻,幫助設(shè)計(jì)人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應(yīng)用,特別是電機(jī)控制和DC-DC轉(zhuǎn)換。

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個(gè)16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上,而不是通過(guò)傳統(tǒng)的印刷電路板(以下簡(jiǎn)稱“PCB”)散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發(fā)熱,從而提高功率密度。新設(shè)計(jì)的可靠性更高從而增加整個(gè)系統(tǒng)的使用壽命。

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

安森美副總裁兼汽車電源方案總經(jīng)理Fabio Necco說(shuō):“冷卻是高功率設(shè)計(jì)的最大挑戰(zhàn)之一,成功解決這個(gè)問(wèn)題對(duì)于減小尺寸和重量至關(guān)重要,這在現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)中也是關(guān)鍵的考慮因素。我們的新型Top Cool MOSFET不僅表現(xiàn)出卓越的電氣效率,而且消除了PCB中的熱路徑,從而顯著簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),減小尺寸并降低成本。”

這些器件提供高功率應(yīng)用所需的電氣效率,RDS(ON)值低至1mΩ。而且柵極電荷(Qg) 低 (65 nC),從而降低高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗。

安森美利用其在封裝方面的深厚專知,提供業(yè)內(nèi)最高功率密度方案。首發(fā)的TCPAK57產(chǎn)品組合包括40V、60V和80V。這所有器件都能在175°C的結(jié)溫(Tj)下工作,并符合AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證和生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)。再加上其鷗翼式封裝,支持焊點(diǎn)檢查和實(shí)現(xiàn)卓越的板級(jí)可靠性,非常適合于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用。目標(biāo)應(yīng)用是高/中功率電機(jī)控制,如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和油泵。

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