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Slkor薩科微-SL12010B碳化硅肖特基二極管

Slkor薩科微-SL12010B碳化硅肖特基二極管

產(chǎn)品分類(lèi):【Slkor _薩科微】


功能概述:

1.2kV 28A 1.56V@10A肖特基二極管
?型號(hào):?SL12010B
?品牌:?Slkor(薩科微)
?封裝:?TO-220-2
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描述:二極管配置:獨(dú)立式 直流反向耐壓(Vr):1.2kV 平均整流電流(Io):28A 正向壓降(Vf):1.56V@10A 反向電流(Ir):2.5uA@1.2kV
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碳化硅肖特基二極管是一種金屬半導(dǎo)體器件,是通過(guò)整流金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘而制成的。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)為重?fù)诫sN型4H-SiC晶片、4H-SiC外延層、肖特基接觸層和歐姆接觸層。碳化硅SBD彌補(bǔ)了硅SBD的不足。許多金屬,如鎳、金、鈀、鈦和鈷,都可以與碳化硅形成肖特基接觸,肖特基勢(shì)壘高度在1 eV以上。Au/4H-SiC接觸的勢(shì)壘高度可以達(dá)到1.73 eV,Ti/4H-SiC接觸的勢(shì)壘高度相對(duì)較低,但最高勢(shì)壘也可以達(dá)到1.1 eV。6H-SiC 與各種金屬之間的肖特基勢(shì)壘高度變化很大,范圍從 0.5 eV 到 1.7 eV。

產(chǎn)品詳情

SL12010BSL12010B1

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SL12010B2

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SL12010B3

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SL12010B4

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SL12010B5

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SL12010B6

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